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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Zhang JY; Wang XF; Wang XD; Fan ZC; Li Y; Ji A; Yang FH; Wang, XF, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Engn Res Ctr Semicond Integrated Technol, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail Address: jyzhang08@semi.ac.cn; wangxiaofeng@semi.ac.cn; fhyang@red.semi.ac.cn Adobe PDF(659Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1520/464  |  提交时间:2010/04/05 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Zhang Jiayong; Wang Xiaofeng; Wang Xiaodong; Ma Huili; Cheng Kaifang; Fan Zhongchao; Li Yan; Ji An; Yang Fuhua Adobe PDF(1126Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1693/477  |  提交时间:2010/06/07 |
| 采用光刻和干法刻蚀制作倾斜侧壁二氧化硅结构的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910081983.5, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 唐龙娟; 杨晋玲; 解婧; 李艳; 杨富华 Adobe PDF(415Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1894/287  |  提交时间:2011/08/31 |
| 以光刻胶为掩膜对二氧化硅进行深刻蚀的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910081225.3, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 李艳; 杨富华; 裴为华 Adobe PDF(351Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1797/278  |  提交时间:2011/08/31 |
| 采用13.56MHz射频功率源淀积氮化硅薄膜的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910081224.9, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 李艳; 杨富华; 唐龙娟; 朱银芳 Adobe PDF(311Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1725/262  |  提交时间:2011/08/31 |