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高P型载流子浓度的氮化镓基化合物薄膜的生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-09-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  韩培德;  陈振
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铟镓氮薄膜的快速填埋生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-07-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  韩培德;  刘祥林;  王晓晖;  陆大成
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  韩培德;  刘祥林;  袁海荣;  陈振;  李昱峰;  陆沅;  汪度;  陆大成;  王占国
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  李昱峰;  陈振;  韩培德;  王占国
Adobe PDF(294Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：914/267  |  提交时间：2010/11/23