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Investigation of InGaN Layer Grown Under In-Rich Condition by Reflectance Difference Spectroscopy Microscope 期刊论文
Journal of Nanoscience and Nanotechnology, 2018, 卷号: 18, 页码: 7468–7472
Authors:  Xiantong Zheng ;   Wei Huang ;   Hongwei Liang ;   Ping Wang ;   Yu Liu ;   Zhaoying Chen ;   Ping Liang ;   Mo Li ;   Jian Zhang ;   Yonghai Chen ;   Xinqiang Wang
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一种抑制垂直腔面发射激光器发散角的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-03, 2010-08-12
Inventors:  郑婉华;  刘安金;  邢名欣;  渠宏伟;  陈 微;  周文君;  陈良惠
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一种单模高功率垂直腔面发射激光器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-10, 2010-08-12
Inventors:  渠红伟;  郑婉华;  刘安金;  王 科;  张冶金;  彭红玲;  陈良惠
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低温晶片键合的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-24, 2010-08-12
Inventors:  彭红玲;  陈良惠;  郑婉华;  石 岩;  渠红伟;  杨国华;  何国荣
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一种双面键合长波长垂直腔面发射激光器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-10, 2010-08-12
Inventors:  渠红伟;  郑婉华;  刘安金;  王 科;  张冶金;  彭红玲;  陈良惠
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含高掺杂隧道结的垂直腔面发射激光器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  王青;  何国荣;  渠红伟;  韦欣;  宋国峰;  陈良惠
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检测键合质量的红外透视成像装置及调节方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-05-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  何国荣;  郑婉华;  杨国华;  石岩;  渠红伟;  宋国锋;  陈良惠
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长波长垂直腔面发射激光器的结构和制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-05-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  何国荣;  渠红伟;  郑婉华;  杨国华;  宋国锋;  陈良惠
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表面处理对p-GaN欧姆接触的影响 期刊论文
半导体学报, 2007, 卷号: 28, 期号: 11, 页码: 1811-1814
Authors:  郭德博;  梁萌;  范曼宁;  师宏伟;  刘志强;  王国宏;  王良臣
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衬底温度和生长速率对MBE自组织生长In_xGa_(1-x)As/GaAsQD的影响 期刊论文
半导体学报, 2000, 卷号: 21, 期号: 7, 页码: 652
Authors:  于磊;  曾一平;  潘量;  孔梅影;  李晋闽;  李灵霄;  周宏伟
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