一种单模高功率垂直腔面发射激光器及其制作方法
渠红伟; 郑婉华; 刘安金; 王 科; 张冶金; 彭红玲; 陈良惠
2010-08-12
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2010-03-10 ; 2010-08-12
授权国家中国
专利类型发明
摘要本发明是一种单模高功率垂直腔面发射激光器,属半导体光电子领域。其特征在于,包括P型电极(1),P型Si衬底(2),金属键合层(3),P型分布布拉格反射镜(DBR)(4),氧化限制层(5),有源区(6),N型DBR(7),SiO2掩膜(8),聚酰亚胺或苯并环丁烯(BCB)(9),N电极(10),光子晶体(11),出光窗口(12)。在该结构的垂直腔面发射激光器中引入光子晶体,可增大氧化孔径,提高单模输出功率,同时采用键合技术将传统VCSEL外延片转移到Si衬底上和采用底部出光的设计,便于拉近VCSEL外延片有源区与Si衬底的距离,改善器件热学特性,进一步提高单模输出功率。
申请日期2008-09-03
语种中文
专利状态实质审查的生效
申请号CN200810119581.5
专利代理人王波波:中科专利商标代理有限责任公司
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/13368
专题中国科学院半导体研究所(2009年前)
推荐引用方式
GB/T 7714
渠红伟,郑婉华,刘安金,等. 一种单模高功率垂直腔面发射激光器及其制作方法[P]. 2010-08-12.
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