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量子点中间带和黑硅太阳电池研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2012
Authors:  王科范
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Effect of antimony irradiation on InAs/Sb:GaAs quantum dots grown by molecular beam epitaxy 期刊论文
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2011, 卷号: 26, 期号: 7, 页码: Article no.75010
Authors:  Yang XG;  Yang T;  Wang KF;  Ji HM;  Ni HQ;  Niu ZC;  Wang ZG;  Yang, XG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. tyang@semi.ac.cn
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High-density  Temperature-dependence  Self-formation  Layers  Well  Mbe  
Intermediate-Band Solar Cells Based on InAs/GaAs Quantum Dots 期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2011, 卷号: 28, 期号: 3, 页码: Article no.38401
Authors:  Yang XG;  Yang T;  Wang KF;  Gu YX;  Ji HM;  Xu PF;  Ni HQ;  Niu ZC;  Wang XD;  Chen YL;  Wang ZG;  Yang, T, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. tyang@semi.ac.cn
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一种单模高功率垂直腔面发射激光器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-10, 2010-08-12
Inventors:  渠红伟;  郑婉华;  刘安金;  王 科;  张冶金;  彭红玲;  陈良惠
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一种双面键合长波长垂直腔面发射激光器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-10, 2010-08-12
Inventors:  渠红伟;  郑婉华;  刘安金;  王 科;  张冶金;  彭红玲;  陈良惠
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大功率小垂直发散角980nm量子阱激光器 期刊论文
半导体光电, 2010, 卷号: 31, 期号: 5, 页码: 677-681,686
Authors:  胡理科;  祁琼;  熊聪;  王冠;  崇锋;  刘素平;  马骁宇
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双色红外量子阱探测器顶部的光子晶体光栅 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-01-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  郑婉华;  王科;  任刚;  杜晓宇;  邢名欣;  陈良惠
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光子晶体微腔中高偏振单偶极模的研究 期刊论文
物理学报, 2009, 卷号: 58, 期号: 6, 页码: 3955-3960
Authors:  陈微;  邢名欣;  任刚;  王科;  杜晓宇;  张冶金;  郑婉华
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一种单模光子晶体偏振分束器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-04-16, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  任刚;  郑婉华;  邢名欣;  王科;  杜晓宇;  陈良惠
Adobe PDF(570Kb)  |  Favorite  |  View/Download:726/201  |  Submit date:2009/06/11
半导体激光器热沉管道 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2008-04-16, 公开日期: 2009-06-04
Inventors:  王大拯;  王翠鸾;  仲莉;  韩淋;  崇峰;  史慧玲;  王冠;  胡理科;  刘素平;  马骁宇
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