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无权访问的条目 学位论文
作者:  马刘红
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纳米尺度相变存储器关键工艺研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者:  周亚玲
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纳米尺度相变存储器新结构及关键工艺研发 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2015
作者:  付英春
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相变存储器  全限制  自对准  牺牲层  量子点  
水平全限制相变存储器工艺研发及器件制备研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2012
作者:  付英春
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通用的多种材料间全限制量子点的自对准制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-08-01
发明人:  付英春;  王晓峰;  张加勇;  白云霞;  梁秀琴;  马慧莉;  季安;  杨富华
Adobe PDF(890Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:776/86  |  提交时间:2014/10/29
通用的多种材料间全限制纳米线的自对准制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-25
发明人:  付英春;  王晓峰;  张加勇;  白云霞;  梁秀琴;  马慧莉;  季安;  杨富华
Adobe PDF(708Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:775/124  |  提交时间:2014/10/31
一种水平全限制相变量子点相变机理的检测方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-15
发明人:  付英春;  王晓峰;  季安;  杨富华
Adobe PDF(1522Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:584/66  |  提交时间:2014/12/25
基于腐蚀的水平全限制相变存储器的自对准制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-22
发明人:  周亚玲;  付英春;  王晓峰;  王晓东;  杨富华
Adobe PDF(644Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:464/4  |  提交时间:2016/09/22