已选(0)清除
条数/页: 排序方式: |
| 无权访问的条目 学位论文 作者: 马刘红 Adobe PDF(15150Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:349/4  |  提交时间:2016/06/02 |
| 纳米尺度相变存储器关键工艺研究 学位论文 , 北京: 中国科学院研究生院, 2016 作者: 周亚玲 Adobe PDF(2855Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:664/24  |  提交时间:2016/05/25 |
| 纳米尺度相变存储器新结构及关键工艺研发 学位论文 , 北京: 中国科学院研究生院, 2015 作者: 付英春 Adobe PDF(2634Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1235/53  |  提交时间:2015/06/03 相变存储器 全限制 自对准 牺牲层 量子点 |
| 水平全限制相变存储器工艺研发及器件制备研究 学位论文 , 北京: 中国科学院研究生院, 2012 作者: 付英春 Adobe PDF(5214Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1097/29  |  提交时间:2012/06/25 |
| 通用的多种材料间全限制量子点的自对准制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-08-01 发明人: 付英春; 王晓峰; 张加勇; 白云霞; 梁秀琴; 马慧莉; 季安; 杨富华 Adobe PDF(890Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:776/86  |  提交时间:2014/10/29 |
| 通用的多种材料间全限制纳米线的自对准制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-25 发明人: 付英春; 王晓峰; 张加勇; 白云霞; 梁秀琴; 马慧莉; 季安; 杨富华 Adobe PDF(708Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:775/124  |  提交时间:2014/10/31 |
| 一种水平全限制相变量子点相变机理的检测方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-15 发明人: 付英春; 王晓峰; 季安; 杨富华 Adobe PDF(1522Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:584/66  |  提交时间:2014/12/25 |
| 基于腐蚀的水平全限制相变存储器的自对准制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-22 发明人: 周亚玲; 付英春; 王晓峰; 王晓东; 杨富华 Adobe PDF(644Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:464/4  |  提交时间:2016/09/22 |