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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu JP;  Huang DD;  Li JP;  Sun DZ;  Kong MY;  Liu JP,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Ctr Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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The effects of carbonized buffer layer on the growth of SiC on Si 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 201, CANNES, FRANCE, AUG 31-SEP 04, 1998
作者:  Wang YS;  Li JM;  Zhang FF;  Lin LY;  Wang YS Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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Heteroepitaxial Growth  Hydrocarbon Radicals  Si(001) Surface  Beam  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang W;  Li GH;  Zhu ZM;  Chen Y;  Han HX;  Wang ZP;  Zhou W;  Sun ZZ;  Zhang W,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Lab Superlattices & Microstruct,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xu HZ;  Zhou W;  Xu B;  Jiang WH;  Gong Q;  Ding D;  Wang ZG;  Xu HZ,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China. 电子邮箱地址: hzxu@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang YS;  Li JM;  Zhang FF;  Lin LY;  Wang YS,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou W;  Zhu ZM;  Liu FQ;  Xu B;  Xu HZ;  Wang ZG;  Zhou W,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li HX;  Daniels-Race T;  Wang ZG;  Li HX,Duke Univ,Dept Elect & Comp Engn,Durham,NC 27708 USA.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang YX;  Chen X;  Wang YX,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Beijing 100083,Peoples R China.
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