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| 降低立方氮化硼薄膜应力的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-17, 2010-08-12
Inventors: 范亚明 ; 张兴旺; 谭海仁; 陈诺夫
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| 一种改善ZnO薄膜欧姆接触的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-31, 2010-08-12
Inventors: 张兴旺; 蔡培锋; 游经碧; 范亚明; 高 云; 陈诺夫
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| 制备平行取向FePt磁性纳米复合薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2009-12-23, 2010-08-12
Inventors: 张兴旺; 高 云; 屈 盛; 陈诺夫
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| 检测嵌段共聚物胶束溶液负载金属盐能力的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2009-12-23, 2010-08-12
Inventors: 高 云; 屈 盛; 张兴旺; 陈诺夫
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| 一种光纤振动传感器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-05-27, 公开日期: 3996
Inventors: 张兴旺
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| 一种立方氮化硼薄膜n型掺杂的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-05-27, 公开日期: 3996
Inventors: 张兴旺; 范亚明; 陈诺夫
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| 一种增强氧化锌薄膜蓝光发射的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-05-27, 公开日期: 3996
Inventors: 张兴旺; 游经碧; 范亚明; 屈 盛; 陈诺夫
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| 无权访问的条目 期刊论文
Authors: You JB; Zhang XW; Dong JJ; Song XM; Yin ZG; Chen NF; Yan H; Zhang XW Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: xwzhang@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
Authors: You JB; Zhang XW; Song HP; Ying J; Guo Y; Yang AL; Yin ZG; Chen NF; Zhu QS; You JB Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: jbyou@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
Authors: Cai PF; You JB; Zhang XW; Dong JJ; Yang XL; Yin ZG; Chen NF; Zhang XW Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: xwzhang@semi.ac.cn
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