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降低立方氮化硼薄膜应力的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-17, 2010-08-12
Inventors:  范亚明;  张兴旺;  谭海仁;  陈诺夫
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一种改善ZnO薄膜欧姆接触的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-31, 2010-08-12
Inventors:  张兴旺;  蔡培锋;  游经碧;  范亚明;  高 云;  陈诺夫
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制备平行取向FePt磁性纳米复合薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2009-12-23, 2010-08-12
Inventors:  张兴旺;  高 云;  屈 盛;  陈诺夫
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检测嵌段共聚物胶束溶液负载金属盐能力的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2009-12-23, 2010-08-12
Inventors:  高 云;  屈 盛;  张兴旺;  陈诺夫
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一种光纤振动传感器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-05-27, 公开日期: 3996
Inventors:  张兴旺
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一种立方氮化硼薄膜n型掺杂的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-05-27, 公开日期: 3996
Inventors:  张兴旺;  范亚明;  陈诺夫 
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一种增强氧化锌薄膜蓝光发射的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-05-27, 公开日期: 3996
Inventors:  张兴旺;  游经碧;  范亚明;  屈 盛;  陈诺夫
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无权访问的条目 期刊论文
Authors:  You JB;  Zhang XW;  Dong JJ;  Song XM;  Yin ZG;  Chen NF;  Yan H;  Zhang XW Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: xwzhang@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
Authors:  You JB;  Zhang XW;  Song HP;  Ying J;  Guo Y;  Yang AL;  Yin ZG;  Chen NF;  Zhu QS;  You JB Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: jbyou@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
Authors:  Cai PF;  You JB;  Zhang XW;  Dong JJ;  Yang XL;  Yin ZG;  Chen NF;  Zhang XW Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: xwzhang@semi.ac.cn
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