SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
制备平行取向FePt磁性纳米复合薄膜的方法
张兴旺; 高 云; 屈 盛; 陈诺夫
2010-08-12
Rights Holder中国科学院半导体研究所
Date Available2009-12-23 ; 2010-08-12
Country中国
Subtype发明
Abstract本发明一种制备平行取向FePt磁性纳米复合薄膜的方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤1:利用双亲嵌段共聚物PS-P4VP在甲苯中自组装成反胶束,然后将金属盐FeCl3和H2PtCl6加入所述反胶束溶液中,形成金属盐负载的反胶束;步骤2:利用旋涂法在硅衬底上获得反胶束阵列,并通过氧等离子体和氢等离子体刻蚀而得到单分散性良好的FePt纳米颗粒阵列;步骤3:用磁控溅射法在FePt纳米颗粒阵列上覆盖一层SiO2保护层;步骤4:保护气氛下对样品进行高温退火,完成平行取向FePt磁性纳米复合薄膜的制作。
Application Date2008-06-18
Language中文
Status实质审查的生效
Application NumberCN200810115182.1
Patent Agent汤保平:中科专利商标代理有限责任公司
Document Type专利
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/13452
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
张兴旺,高 云,屈 盛,等. 制备平行取向FePt磁性纳米复合薄膜的方法[P]. 2010-08-12.
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