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大规模防止MEMS器件结构层材料被电化学腐蚀的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010235859.2, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  杨晋玲;  刘云飞;  解婧;  杨富华
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一种防止MEMS器件结构层材料被电化学腐蚀的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010235870.9, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  杨晋玲;  解婧;  刘云飞;  杨富华
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氢气调制本征层能带结构优化非晶硅太阳电池及制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102176496A, 公开日期: 2012-09-07, 2011-09-07, 2012-09-07
发明人:  彭文博;  曾湘波;  刘石勇;  姚文杰;  谢小兵;  肖海波;  杨萍;  王超;  俞育德
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一种超高真空多功能综合测试系统 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010171385.X, 公开日期: 2011-08-31, 2011-08-31, 2011-08-31
发明人:  杨晋玲;  刘云飞;  解婧;  杨富华
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具有角度调节功能的样品托 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-07-10
发明人:  刘媛媛;  杨富华
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一种无结晶体管的电阻测试方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-02-12
发明人:  王昊;  韩伟华;  马刘红;  杨富华
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用于大功率半导体激光器封装用的硅热沉及制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-06-19
发明人:  刘媛媛;  杨富华
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硅基横向纳米线多面栅晶体管及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-09-18
发明人:  韩伟华;  王昊;  马刘红;  洪文婷;  杨晓光;  杨涛;  杨富华
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一种微光学陀螺Sagnac效应光波导芯片及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-09-10
发明人:  杨添舒;  刘雯;  时彦朋;  马静;  张端;  郑婉华;  王晓东;  杨富华
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半导体薄膜太阳能电池前后表面的陷光结构制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-05-21
发明人:  时彦朋;  王晓东;  刘雯;  杨添舒;  马静;  杨富华
Adobe PDF(487Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:909/116  |  提交时间:2014/11/24