| 一种防止MEMS器件结构层材料被电化学腐蚀的方法 |
| 杨晋玲; 解婧 ; 刘云飞; 杨富华
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| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
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| 公开日期 | 2011-08-31
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明
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| 摘要 | 本发明公开了一种防止MEMS器件结构层材料被电化学腐蚀的方法，该方法是在MEMS器件的金属化工艺中，在贵金属层表面进一步淀积一层金属Ti层，然后用光刻胶覆盖该金属Ti层。由于金属Ti在HF基腐蚀液中的电化学电势低于结构层半导体材料的电化学电势，因而Ti替代半导体材料，与贵金属层构成原电池，并作为原电池正极在HF基腐蚀液中发生氧化反应，从而有效避免了半导体结构层材料被电化学腐蚀，并保证了金属层与其它结构层的牢固结合。 |
| 部门归属 | 半导体集成技术工程研究中心
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| 专利号 | CN201010235870.9
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| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN201010235870.9
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| 专利代理人 | 周国城
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22357
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| 专题 | 半导体集成技术工程研究中心
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
杨晋玲,解婧,刘云飞,等. 一种防止MEMS器件结构层材料被电化学腐蚀的方法. CN201010235870.9.
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