SEMI OpenIR  > 半导体集成技术工程研究中心
半导体薄膜太阳能电池前后表面的陷光结构制备方法
时彦朋; 王晓东; 刘雯; 杨添舒; 马静; 杨富华
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2014-05-21
授权国家中国
专利类型发明
学科领域微电子学
申请日期2014-02-17
申请号CN201410052413.4
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25769
专题半导体集成技术工程研究中心
推荐引用方式
GB/T 7714
时彦朋,王晓东,刘雯,等. 半导体薄膜太阳能电池前后表面的陷光结构制备方法.
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半导体薄膜太阳能电池前后表面的陷光结构制(487KB) 限制开放使用许可请求全文
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