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| 采用全光学膜体系的垂直结构发光二极管制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2009-01-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 伊晓燕; 王良臣; 王国宏; 李晋闽 Adobe PDF(529Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1314/250  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种氮化镓基小芯片LED阵列结构及制备方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-10-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王立彬; 伊晓燕; 刘志强; 陈宇; 郭德博; 王良臣 Adobe PDF(462Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1530/265  |  提交时间:2009/06/11 |
| 低损伤PECVD沉积致密SiO2的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-05-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 陈宇; 王良臣; 伊晓燕; 李艳 Adobe PDF(386Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1399/257  |  提交时间:2009/06/11 |
| P型氮化镓电极的制备方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-05-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 陈宇; 王良臣; 伊晓燕 Adobe PDF(368Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1275/202  |  提交时间:2009/06/11 |
| GaN基功率型LED的N型欧姆接触电极的制备方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-05-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 陈宇; 王良臣; 伊晓燕; 郭金霞 Adobe PDF(581Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1389/229  |  提交时间:2009/06/11 |
| 采用衬底表面粗化技术的倒装结构发光二极管制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-09-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王良臣; 伊晓燕; 刘志强 Adobe PDF(698Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1193/171  |  提交时间:2009/06/11 |
| 共振遂穿二极管与高电子迁移率晶体管器件制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 黄应龙; 杨富华; 王良臣; 王建林; 伊小燕; 马龙 Adobe PDF(385Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1063/166  |  提交时间:2009/06/11 |
| 背孔结构氮化镓基发光二极管的制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-04-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 马龙; 王良臣; 王立彬; 郭金霞; 伊晓燕 Adobe PDF(550Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1081/164  |  提交时间:2009/06/11 |
| 采用光陷阱超小发散角高功率半导体激光器外延材料结构 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910084036.1, 公开日期: 2011-08-30 发明人: 王俊; 白一鸣; 崇锋; 熊聪; 仲莉; 韩淋; 王翠鸾; 冯小明; 刘媛媛; 刘素平; 马骁宇 Adobe PDF(430Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1652/297  |  提交时间:2011/08/30 |
| 光纤侧圆柱面镀膜旋转装置及方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910241547.X, 公开日期: 2011-08-30, 2011-08-30, 2011-08-30 发明人: 冯小明; 赵懿昊; 祁琼; 刘素平; 马骁宇 Adobe PDF(274Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1620/242  |  提交时间:2011/08/30 |