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The effect of low temperature GaAs nucleation on the growth of GaN on Silicon (001) during MOVPE process 会议论文
NITRIDE SEMICONDUCTORS, 482, BOSTON, MA, DEC 01-05, 1997
作者:  Zheng LX;  Liang JW;  Yang H;  Li JB;  Wang YT;  Xu DP;  Li XF;  Duan LH;  Hu XW;  Zheng LX Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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MOVPE growth of GaN and LED on (111) MgAl2O4 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 189, TOKUSHIMA CITY, JAPAN, OCT 27-31, 1997
作者:  Duan SK;  Teng XG;  Wang YT;  Li GH;  Jiang HX;  Han P;  Lu DC;  Duan SK Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Integrated Optoelect Lab POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. 电子邮箱地址: skduan@red.semi.ac.cn
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Gan  Mgal2o4  Movpe  Led  Diodes