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磁性p-n结薄膜材料及制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-10-29, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  周剑平;  陈诺夫;  张富强;  刘志凯;  杨少延;  柴春林
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一种探测功率范围可调的光电探测器及其列阵 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-10-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨林;  刘育梁;  王启明
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波导型偏振模式分离器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-09-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨林;  刘育梁;  王启明
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具有自动调节功能的光学衰减器模块 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-07-09, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨林;  刘育梁;  王启明
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多模干涉型光学衰减器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨林;  刘育梁;  王启明
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组份渐变铁磁性半导体制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-06-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈诺夫;  张富强;  杨君玲;  刘志凯;  杨少延;  柴春林
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半导体/磁体/半导体三层结构的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-03-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨君玲;  陈诺夫;  何家宏;  钟兴儒;  吴金良;  林兰英;  刘志凯;  杨少延;  柴春林
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou JP;  Chai CL;  Yang SY;  Liu ZK;  Song SL;  Chen NF;  Lin LY;  Zhou JP,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Key Lab Semicond Mat Sci,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang FQ;  Chen NF;  Liu ZK;  Chai CL;  Yang SY;  Yang JL;  Wu JL;  Lin LY;  Callaghan FD;  Li T;  Foxton CT;  Bates CA;  Zhang FQ,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Key Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou JP;  Chen NF;  Song SL;  Chai CL;  Yang SY;  Liu ZK;  Lin LY;  Zhou JP,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,Beijing 100083,Peoples R China.
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