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自适应柔性层制备无裂纹硅基Ⅲ族氮化物薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  吴洁君;  黎大兵;  陆沅;  韩修训;  李杰民;  王晓辉;  刘祥林;  王占国
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li, JM;  Lu, YW;  Han, XX;  Wu, JJ;  Liu, XL;  Zhu, QS;  Wang, ZG;  Li, JM, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: jiemli@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Han, XX;  Li, JM;  Wu, JJ;  Cong, GW;  Liu, XL;  Zhu, QS;  Wang, ZG;  Han, XX, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xxhan@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Han, XX;  Li, JM;  Wu, JJ;  Wang, XH;  Li, DB;  Liu, XL;  Han, PD;  Zhu, QS;  Wang, ZG;  Han, XX, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xxhan@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wu JJ;  Han XX;  Li JM;  Li DB;  Lu Y;  Wei HY;  Cong GW;  Liu XL;  Zhu QS;  Wang ZG;  Wu, JJ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: jiejunw@red.semi.ac.cn
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Ⅲ族氮化物低维结构的生长及物性研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2005
作者:  韩修训
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Han, XX;  Wu, JJ;  Li, JM;  Cong, GW;  Liu, XL;  Zhu, QS;  Wang, ZG;  Han, XX, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xxhan@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li JM;  Wu JJ;  Han XX;  Lu YW;  Lin XL;  Zhu QS;  Wang ZG;  Li, JM, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: jiemli@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Han, XX;  Li, JM;  Wu, JJ;  Cong, GW;  Liu, XL;  Zhu, QS;  Wang, ZG;  Han, XX, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xxhan@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  吴洁君;  韩修训;  李杰民;  黎大兵;  魏宏远;  康亭亭;  王晓晖;  刘祥林;  王占国
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