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| 平板式电极结构 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2006-02-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 刁宏伟; 廖显伯; 曾湘波; 郝会颖; 徐艳月; 张世斌; 胡志华
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| 光学调节架 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102298186A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 张树宝; 林学春; 李晋闽; 郭林; 徐贵昌; 李梦龙; 张志研
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| 宽调谐范围双波长输出光参量振荡器 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910237846.6, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 熊波; 李晋闽; 林学春; 侯玮; 郭林; 赵伟芳; 马建立; 张树宝
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| 沟槽型MOS势垒肖特基二极管及制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-12-11
发明人: 郑柳; 孙国胜; 张峰; 刘兴昉; 王雷; 赵万顺; 闫果果; 董林; 刘胜北; 刘斌; 田丽欣; 曾一平
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| 沟槽型MOS势垒肖特基二极管 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-02-12
发明人: 郑柳; 孙国胜; 张峰; 刘兴昉; 王雷; 赵万顺; 闫果果; 董林; 刘胜北; 刘斌; 田丽欣; 曾一平
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| 在碳化硅半导体薄膜双注入区形成短沟道的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-18
发明人: 郑柳; 孙国胜; 刘兴昉; 张峰; 王雷; 赵万顺; 闫果果; 董林; 刘胜北; 刘斌; 曾一平
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| 碳化硅材料腐蚀炉 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-25
发明人: 董林; 孙国胜; 赵万顺; 王雷; 刘兴昉; 刘斌; 张峰; 闫果果; 郑柳; 刘胜北
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| 4H-SiC衬底上同质快速外延生长4H-SiC外延层的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-05-28
发明人: 刘斌; 孙国胜; 刘兴昉; 董林; 郑柳; 闫果果; 刘胜北; 张峰; 赵万顺; 王雷; 曾一平
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| 一种碳化硅欧姆接触电极及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-29
发明人: 刘胜北; 何志; 刘斌; 杨香; 刘兴昉; 张峰; 王雷; 田丽欣; 刘敏; 申占伟; 赵万顺; 樊中朝; 王晓峰; 王晓东; 赵永梅; 杨富华; 孙国胜; 曾一平
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| 用于碳化硅生长的高温装置及方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人: 刘兴昉; 刘斌; 闫果果; 刘胜北; 田丽欣; 申占伟; 王雷; 赵万顺; 张峰; 孙国胜; 曾一平
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