已选(0)清除
条数/页: 排序方式: |
| 一种InAs/GaSb超晶格红外光电探测器及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010106773.X, 公开日期: 2011-08-30, 2011-07-14, 2011-08-30 发明人: 王国伟; 汤宝; 周志强; 任正伟; 徐应强; 牛智川 Adobe PDF(560Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1452/189  |  提交时间:2011/08/30 |
| HPT结构的InAs/GaSb超晶格红外光电探测器 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010123021.4, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 张宇; 王国伟; 汤宝; 任正伟; 徐应强; 牛智川; 陈良惠 Adobe PDF(176Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1511/269  |  提交时间:2011/08/31 |
| “W”型锑化物二类量子阱的外延生长方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102157903A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 迂修; 张宇; 王国伟; 徐应强; 徐云; 宋国峰 Adobe PDF(227Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1303/352  |  提交时间:2012/09/09 |
| 带间级联激光器及其制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-02-12 发明人: 邢军亮; 张宇; 徐应强; 王国伟; 王娟; 向伟; 任正伟; 牛智川 Adobe PDF(984Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:883/116  |  提交时间:2014/11/05 |
| InSb/GaSb量子点结构器件及生长方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-12-11 发明人: 邢军亮; 张宇; 徐应强; 王国伟; 王娟; 向伟; 任正伟; 牛智川 Adobe PDF(1368Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:873/76  |  提交时间:2014/11/24 |
| 双波长锑化物应变量子阱半导体激光器及其制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-01 发明人: 邢军亮; 张宇; 王国伟; 王娟; 王丽娟; 任正伟; 徐应强; 牛智川 Adobe PDF(1931Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:799/73  |  提交时间:2014/11/24 |
| InAs/GaSb超晶格红外光电探测器及其制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-06-25 发明人: 蒋洞微; 向伟; 王娟; 邢军亮; 王国伟; 徐应强; 任正伟; 贺振宏; 牛智川 Adobe PDF(932Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:789/107  |  提交时间:2014/11/24 |
| 一种半导体光电器件的表面钝化方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12 发明人: 郝宏玥; 王国伟; 向伟; 蒋洞微; 邢军亮; 徐应强; 牛智川 Adobe PDF(721Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:617/9  |  提交时间:2016/09/12 |
| 一种高电阻温度系数氧化钒薄膜的制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28 发明人: 张立春; 王国伟; 张宇; 徐应强; 倪海桥; 牛智川 Adobe PDF(435Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:498/13  |  提交时间:2016/09/28 |
| 一种雪崩光电二极管及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30 发明人: 向伟; 王国伟; 徐应强; 郝宏玥; 蒋洞微; 任正伟; 贺振宏; 牛智川 Adobe PDF(574Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:640/8  |  提交时间:2016/08/30 |