SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共3条,第1-3条 帮助

限定条件                    
已选(0)清除 条数/页:   排序方式:
在衬底上生长异变缓冲层的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102194671A, 公开日期: 2012-08-29, 2011-09-21, 2012-08-29
发明人:  贺继方;  尚向军;  倪海桥;  王海莉;  李密峰;  朱岩;  王莉娟;  喻颖;  贺正宏;  徐应强;  牛智川
Adobe PDF(309Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1477/245  |  提交时间:2012/08/29
石墨烯片插层化合物制备方法及原位显微拉曼表征系统 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102156116A, 公开日期: 2012-08-29, 2011-08-17, 2012-08-29
发明人:  谭平恒;  赵伟杰;  韩文鹏;  历巧巧;  姬扬
Adobe PDF(705Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1581/313  |  提交时间:2012/08/29
一种提高镁在Ⅲ-Ⅴ族氮化物中掺杂效率的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910241698.5, 公开日期: 2011-08-30
发明人:  李京波;  纪攀峰;  朱峰
Adobe PDF(486Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1306/210  |  提交时间:2011/08/30