SEMI OpenIR  > 半导体超晶格国家重点实验室
一种提高镁在Ⅲ-Ⅴ族氮化物中掺杂效率的方法
李京波; 纪攀峰; 朱峰
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2011-08-30
授权国家中国
专利类型发明
摘要本发明公开了一种提高镁在III-V族氮化物中掺杂效率的方法,该方法是在镁掺杂的p型III-V族氮化物的表面蒸镀一层2nm至10nm的碲,然后在N2气氛下退火,并用酸性液体洗掉蒸镀在p型III-V族氮化物上的碲。利用本发明,使镁在III-V族氮化物中的掺杂效率大大的提高,增加了p型III-V族氮化物中空穴的浓度。
部门归属半导体超晶格国家重点实验室
专利号CN200910241698.5
语种中文
专利状态公开
申请号CN200910241698.5
专利代理人周国城
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/21851
专题半导体超晶格国家重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
李京波,纪攀峰,朱峰. 一种提高镁在Ⅲ-Ⅴ族氮化物中掺杂效率的方法. CN200910241698.5.
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