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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
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WOS被引频次升序
WOS被引频次降序
期刊影响因子升序
期刊影响因子降序
电学测试的汞探针装置
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-02-10, 2010-08-12
发明人:
纪 刚
;
孙国胜
;
宁 瑾
;
刘兴昉
;
赵永梅
;
王 雷
;
赵万顺
;
曾一平
;
李晋闽
Adobe PDF(270Kb)
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浏览/下载:1860/331
  |  
提交时间:2010/08/12
一种高温碳化硅双室热壁式外延生长装置
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2009-12-02, 2010-08-12
发明人:
孙国胜
;
王 雷
;
赵万顺
;
曾一平
;
叶志仙
;
刘兴昉
Adobe PDF(801Kb)
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浏览/下载:1795/301
  |  
提交时间:2010/08/12
氧化硅上制备低阻碳化硅的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-05-27, 公开日期: 3996
发明人:
赵永梅
;
孙国胜
;
宁 瑾
;
王 亮
;
刘兴昉
;
赵万顺
;
王 雷
;
李晋闽
;
曾一平
Adobe PDF(564Kb)
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浏览/下载:1528/262
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提交时间:2010/03/19
In-Situ Boron and Aluminum Doping and Their Memory Effects in 4H-SiC Homoepitaxial Layers Grown by Hot-Wall LPCVD
会议论文
SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2007, Otsu, JAPAN, OCT 14-19, 2007
作者:
Sun, GS
;
Zhao, YM
;
Wang, L
;
Zhao, WS
;
Liu, XF
;
Ji, G
;
Zeng, YP
;
Sun, GS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China.
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浏览/下载:1648/274
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提交时间:2010/03/09
In-situ Doping
Boron
Aluminum
Memory Effects
Hot-wall Lpcvd
4h-sic
Heteroepitaxial Growth of 3C-SiC on Si (111) Substrate using AlN as a Buffer Layer
会议论文
SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2007, Otsu, JAPAN, OCT 14-19, 2007
作者:
Zhao, YM
;
Sun, GS
;
Liu, XF
;
Li, JY
;
Zhao, WS
;
Wang, L
;
Li, JM
;
Zeng, YP
;
Zhao, YM, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China.
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浏览/下载:1882/307
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提交时间:2010/03/09
Silicon Carbide
Aluminum Nitride
Buffer Layer
Lpcvd
无权访问的条目
期刊论文
作者:
黄振
;
于斌
;
赵国忠
;
张存林
;
崔利杰
;
曾一平
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提交时间:2010/11/23
基于氮化铝缓冲层的硅基3C-碳化硅异质外延生长方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-10-08, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
赵永梅
;
孙国胜
;
刘兴昉
;
李家业
;
王雷
;
赵万顺
;
李晋闽
;
曾一平
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浏览/下载:1471/230
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提交时间:2009/06/11
用于MEMS器件的大面积3C-SiC薄膜的制备方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
刘兴昉
;
孙国胜
;
李晋闽
;
赵永梅
;
王雷
;
赵万顺
;
李家业
;
曾一平
Adobe PDF(494Kb)
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浏览/下载:1282/218
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提交时间:2009/06/11
Native deep level defects in ZnO single crystal grown by CVT method - art. no. 68410I
会议论文
SOLID STATE LIGHTING AND SOLAR ENERGY TECHNOLOGIES, Beijing, PEOPLES R CHINA, NOV 12-14, 2007
作者:
Zhao, YW
;
Zhang, F
;
Zhang, R
;
Dong, ZY
;
Wei, XC
;
Zeng, YP
;
Li, JM
;
Zhao, YW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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浏览/下载:1875/527
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提交时间:2010/03/09
Zinc Oxide
Defect
Vacancy
High epitaxial growth rate of 4H-SiC using TCS as silicon precursor
会议论文
2008 9TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED-CIRCUIT TECHNOLOGY, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 20-23, 2008
作者:
Ji, G
;
Sun, GS
;
Ning, J
;
Liu, XF
;
Zhao, YM
;
Wang, L
;
Zhao, WS
;
Zeng, YP
;
Ji, G, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(1783Kb)
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浏览/下载:1358/225
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提交时间:2010/03/09