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大规模防止MEMS器件结构层材料被电化学腐蚀的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010235859.2, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  杨晋玲;  刘云飞;  解婧;  杨富华
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一种防止MEMS器件结构层材料被电化学腐蚀的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010235870.9, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  杨晋玲;  解婧;  刘云飞;  杨富华
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一种超高真空多功能综合测试系统 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010171385.X, 公开日期: 2011-08-31, 2011-08-31, 2011-08-31
发明人:  杨晋玲;  刘云飞;  解婧;  杨富华
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材料扩散互溶实现碳化硅键合的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人:  赵永梅;  何志;  季安;  刘胜北;  黄亚军;  杨香;  段瑞飞;  张明亮;  王晓东;  杨富华
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