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量子点-阱红外探测器的结构及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-09-24, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王志成;  徐波;  刘峰奇;  陈涌海;  王占国;  石礼伟;  梁凌燕
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在半导体衬底上制备有序砷化铟量子点的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  周慧英;  曲胜春;  金鹏;  徐波;  王赤云;  刘俊朋;  王智杰;  王占国
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在半导体衬底上制备量子环结构的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  周慧英;  曲胜春;  ;  徐波;  王赤云;  刘俊朋;  王占国
Adobe PDF(492Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1428/216  |  提交时间:2009/06/11
利用阳极氧化浴槽制备有序的阳极氧化铝通孔模板的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-09-17, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  周慧英;  曲胜春;  徐波;  张春林;  王占国 
Adobe PDF(557Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1154/183  |  提交时间:2009/06/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  张冠杰;  徐波;  陈涌海;  姚江宏;  林耀望;  舒永春;  皮彪;  邢晓东;  刘如彬;  舒强;  王占国;  许京军
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu HY;  Sellers IR;  Airey RJ;  Steer MJ;  Houston PA;  Mowbray DJ;  Cockburn J;  Skolnick MS;  Xu B;  Wang ZG;  Liu HY,Univ Sheffield,Dept Elect & Elect Engn,EPSRC,Cent Facil Semicond 3 5,Sheffield S1 3JD,S Yorkshire,England.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Panev N;  Pistol ME;  Zwiller V;  Samuelson L;  Jiang W;  Xu B;  Wang Z;  Panev N,Univ Lund,Box 118,S-22100 Lund,Sweden.
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自组织生长量子点激光材料和器件研究 成果
2000
主要完成人:  王占国;  封松林;  徐仲英;  梁基本;  徐波
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量子点  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun S;  Wu J;  Liu FQ;  Zu HZ;  Chen YH;  Ye XL;  Jiang WH;  Xu B;  Wang ZG;  Sun S,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  张兴宏;  夏冠群;  徐元森;  徐波;  杨玉芬;  王占国
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