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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
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WOS被引频次升序
WOS被引频次降序
在锗衬底上生长无反相畴砷化镓薄膜的分子束外延方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-13, 2010-08-12
发明人:
王鹏飞
;
吴东海
;
吴兵朋
;
熊永华
;
詹 峰
;
黄社松
;
倪海桥
;
牛智川
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浏览/下载:1723/296
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提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
郭杰
;
彭震宇
;
鲁正雄
;
孙维国
;
郝瑞亭
;
周志强
;
许应强
;
牛智川
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浏览/下载:1696/492
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提交时间:2010/11/23
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wu, D
;
Wang, H
;
Wu, B
;
Ni, H
;
Huang, S
;
Xiong, Y
;
Wang, P
;
Han, Q
;
Niu, Z
;
Tangring, I
;
Wang, SM
;
Wu, D, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattice & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China.
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浏览/下载:1014/375
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
郭杰
;
孙维国
;
陈慧娟
;
彭震宇
;
鲁正雄
;
郝瑞亭
;
周志强
;
许应强
;
牛智川
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浏览/下载:1025/379
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提交时间:2010/11/23
砷化镓基1.5微米量子阱结构及其外延生长方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-04-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
牛智川
;
倪海桥
;
韩勤
;
张石勇
;
吴东海
;
赵欢
;
杨晓红
;
彭红玲
;
周志强
;
熊永华
;
吴荣汉
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浏览/下载:1439/248
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提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wang FZ
;
Chen ZH
;
Sun J
;
Bai LH
;
Huang SH
;
Xiong H
;
Jin P
;
Wang ZG
;
Shen SC
;
Chen, ZH, Fudan Univ, Dept Phys, Surface Phys Lab, Shanghai 200433, Peoples R China. E-mail: zhanghai@fudan.edu.cn
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浏览/下载:976/286
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提交时间:2010/04/11
Temperature and power-density-dependent inter-shell energy states in InAs/GaAs quantum dots
会议论文
JOURNAL OF LUMINESCENCE, Shanghai, PEOPLES R CHINA, AUG 01-05, 2005
作者:
Wang FZ
;
Chen ZH
;
Sun J
;
Bai LH
;
Huang SH
;
Xiong H
;
Jin P
;
Wang ZG
;
Shen SC
;
Chen, ZH, Fudan Univ, Dept Phys, Surface Phys Lab, Shanghai 200433, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhanghai@fudan.edu.cn
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浏览/下载:1689/293
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提交时间:2010/03/29
Quantum Dots
无权访问的条目
期刊论文
作者:
祝宁华
;
黄亨沛
;
谢亮
;
刘宇
;
曾雄文
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浏览/下载:930/306
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提交时间:2010/11/23
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wang FZ
;
Chen ZH
;
Bai LH
;
Huang SH
;
Xiong H
;
Shen SC
;
Sun J
;
Jin P
;
Wang ZG
;
Wang, FZ, Fudan Univ, Dept Phys, Surface Phys Lab, Shanghai 200433, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhanghai@fudan.edu.cn
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浏览/下载:1257/287
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提交时间:2010/03/17
无权访问的条目
期刊论文
作者:
宋海鹏
;
温继敏
;
曾雄文
;
张胜利
;
孙建伟
;
祝宁华
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提交时间:2010/11/23