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在锗衬底上生长无反相畴砷化镓薄膜的分子束外延方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-13, 2010-08-12
发明人:  王鹏飞;  吴东海;  吴兵朋;  熊永华;  詹 峰;  黄社松;  倪海桥;  牛智川
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wu CM (Wu ChaoMin);  Shang JZ (Shang JingZhi);  Zhang BP (Zhang BaoPing);  Zhang JY (Zhang JiangYong);  Yu JZ (Yu JinZhong);  Wang QM (Wang QiMing);  Zhang, BP, Xiamen Univ, Dept Phys, Xiamen 361005, Peoples R China. 电子邮箱地址: bzhang@xmu.edu.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Cai LE;  Zhang BP;  Zhang JY;  Wu CM;  Jiang F;  Hu XL;  Chen M;  Wang QM;  Zhang, BP, Xiamen Univ, Dept Phys, Lab Micro Nano Optoelect, Xiamen 361005, Peoples R China. bzhang@xmu.edu.cn
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