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边发射二维光子晶体分布反馈量子级联激光器及制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-17, 2010-08-12
发明人:  陆全勇;  张 伟;  王利军;  高 瑜;  尹 雯;  张全德;  刘万峰;  刘峰奇;  王占国
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Lu QY;  Zhang W;  Wang LJ;  Gao Y;  Yin W;  Zhang QD;  Liu WF;  Liu FQ;  Wang ZG;  Lu, QY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail Address: fqliu@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Lu QY (Lu, Quan-Yong);  Zhang W (Zhang, Wei);  Wang LJ (Wang, Li-Jun);  Liu JQ (Liu, Jun-Qi);  Li L (Li, Lu);  Liu FQ (Liu, Feng-Qi);  Wang ZG (Wang, Zhan-Guo);  Lu, QY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: fqliu@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu FQ (Liu Feng-Qi);  Li L (Li Lu);  Wang LJ (Wang Lijun);  Liu JQ (Liu Junqi);  Zhang W (Zhang Wei);  Zhang QD (Zhang Quande);  Liu WF (Liu Wanfeng);  Lu QY (Lu Quanyong);  Wang ZG (Wang Zhanguo);  Liu, FQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: fqliu@red.semi.ac.cn
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半导体硅衬底上氧化铝介电薄膜硅离子注入腐蚀方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-06-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王启元;  王俊;  王建华
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在硅衬底上生长无裂纹氮化镓薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-05-23, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘喆;  李晋闽;  王军喜;  王晓亮;  王启元;  刘宏新;  王俊;  曾一平
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  王勇刚;  彭继迎;  檀慧明;  钱龙生;  柴路;  张志刚;  王清月;  林涛;  马骁宇
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利用缓冲层在硅衬底上生长氧化锌薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-10-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  沈文娟;  曾一平;  王启元;  王俊
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硅衬底上高介电常数氧化铝介电薄膜材料及制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王启元;  王俊;  王建华
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双异质外延SOI材料及制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王启元;  王俊;  王建华
Adobe PDF(508Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：889/151  |  提交时间：2009/06/11