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| 具有波长蓝移效应的掩埋异质结构半导体光器件及方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-12-06, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 丁颖; 王圩; 潘教青 ; 王宝军; 陈娓兮
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| 电吸收调制器的光纤对准耦合方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-07-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 孙洋; 陈娓兮; 王圩
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| 选择区域外延制作电吸收调制分布反馈激光器的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-01-23, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 刘国利; 王圩; 陈娓兮; 朱洪亮
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| 异质掩埋激光器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010196147.4, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 王宝军; 朱洪亮; 赵玲娟; 王圩; 潘教青; 陈娓兮; 梁松; 边静; 安心; 王伟
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| GeSn合金的外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910088391.6, 公开日期: 2011-08-30
发明人: 成步文; 薛春来; 左玉华; 汪巍; 胡炜玄; 苏少坚; 白安琪; 薛海韵
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| 亚微米波导型Ge量子阱电光调制器 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 赵红卫; 胡炜玄; 成步文; 王启明
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| 一种高锗组分锗硅虚衬底的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010183385.1, 公开日期: 2011-08-30
发明人: 胡炜玄; 成步文; 薛春来; 张广泽; 王启明
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| 在Si衬底上分子束外延生长GeSn合金的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010231169.X, 公开日期: 2011-08-30, 2011-08-30, 2011-08-30
发明人: 苏少坚; 汪巍; 成步文; 王启明; 张广泽; 胡炜玄; 白安琪; 薛春来; 左玉华
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| 一种用于精确控温的高分子材料紫外激光3D打印方法及装置 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-08-13
发明人: 林学春; 王文婷; 张志研; 赵树森; 于海娟; 马永梅; 孙文华; 徐坚; 董金勇; 李春成; 符文鑫
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| 一种实现超高分子量聚合物激光快速成型的装置及方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人: 林学春; 高文焱; 张志研; 于海娟; 王奕博; 赵宁; 董金勇; 李春成; 符文鑫; 郭洪霞; 刘瑞刚; 马永梅; 孙文华; 赵江
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