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具有波长蓝移效应的掩埋异质结构半导体光器件及方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-12-06, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  丁颖;  王圩;  潘教青;  王宝军;  陈娓兮
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电吸收调制器的光纤对准耦合方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-07-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  孙洋;  陈娓兮;  王圩
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选择区域外延制作电吸收调制分布反馈激光器的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-01-23, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘国利;  王圩;  陈娓兮;  朱洪亮
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异质掩埋激光器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010196147.4, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  王宝军;  朱洪亮;  赵玲娟;  王圩;  潘教青;  陈娓兮;  梁松;  边静;  安心;  王伟
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GeSn合金的外延生长方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910088391.6, 公开日期: 2011-08-30
发明人:  成步文;  薛春来;  左玉华;  汪巍;  胡炜玄;  苏少坚;  白安琪;  薛海韵
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亚微米波导型Ge量子阱电光调制器 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  赵红卫;  胡炜玄;  成步文;  王启明
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一种高锗组分锗硅虚衬底的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010183385.1, 公开日期: 2011-08-30
发明人:  胡炜玄;  成步文;  薛春来;  张广泽;  王启明
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在Si衬底上分子束外延生长GeSn合金的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010231169.X, 公开日期: 2011-08-30, 2011-08-30, 2011-08-30
发明人:  苏少坚;  汪巍;  成步文;  王启明;  张广泽;  胡炜玄;  白安琪;  薛春来;  左玉华
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