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无权访问的条目 学位论文
作者:  张硕
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Si基溅射法AlN缓冲层薄膜制备研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者:  张硕
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Aln  溅射法  Si(100)衬底  氧污染  椭偏测量  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  X. L. HU;  L. B. SUN;  BEIBEI ZENG;  L. S. WANG;  Z. G. YU;  S. A. BAI;  S. M. YANG;  L. X. ZHAO;  Q. LI;  M. QIU;  R. Z. TAI;  H. J. FECHT;  J. Z. JIANG;  D. X. ZHANG
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半导体器件、透明金属网状电极及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-02
发明人:  张硕;  段瑞飞;  何志;  魏同波;  张勇辉;  伊晓燕;  王军喜;  李晋闽
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一种利用低熔点金属消除外延层生长热失配的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人:  安平博;  张硕;  赵丽霞;  段瑞飞;  路红喜;  王军喜;  李晋闽
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一种氮化物外延装置及方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人:  张硕;  段瑞飞;  曾一平;  王军喜;  李晋闽
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Si衬底上GaN薄膜的生长方法及复合GaN薄膜 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-22
发明人:  刘波亭;  马平;  郭仕宽;  甄爱功;  张烁;  吴冬雪;  王军喜;  李晋闽
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具有氮化镓系高阻层的HEMT及制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-22
发明人:  张烁;  马平;  郭仕宽;  刘波亭;  李晋闽;  王军喜
Adobe PDF(424Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:472/6  |  提交时间:2016/09/22