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在Si基片上生长高密度超小型Ge量子点的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-03-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  时文华;  李传波;  王容伟;  罗丽萍;  王启明
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Shi WH;  Mao RW;  Zhao L;  Luo LP;  Wang QM;  Shi, WH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: whshi@red.semi.ac.cn
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