×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
登录
中文版
|
English
中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
ALL
ORCID
题名
作者
学科领域
关键词
文献类型
出处
收录类别
出版者
发表日期
存缴日期
资助项目
学科门类
学习讨论厅
图片搜索
粘贴图片网址
首页
研究单元&专题
作者
文献类型
学科分类
知识图谱
新闻&公告
在结果中检索
研究单元&专题
中国科学院半导体研究... [5]
中科院半导体材料科学... [1]
半导体材料科学中心 [1]
作者
刘兴昉 [7]
闫果果 [2]
宁瑾 [1]
郑柳 [1]
董林 [1]
文献类型
专利 [5]
期刊论文 [2]
发表日期
2011 [1]
2010 [1]
2009 [1]
2008 [2]
2006 [1]
语种
中文 [5]
英语 [2]
出处
CHINESE PH... [1]
MICROELECT... [1]
资助项目
收录类别
SCI [2]
资助机构
National N... [1]
×
知识图谱
SEMI OpenIR
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
(本次检索基于用户作品认领结果)
浏览/检索结果:
共7条,第1-7条
帮助
限定条件
作者:刘兴昉
第一作者
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
提交时间升序
提交时间降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
期刊影响因子升序
期刊影响因子降序
WOS被引频次升序
WOS被引频次降序
作者升序
作者降序
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Sun GS
;
Liu XF
;
Wu HL
;
Yan GG
;
Dong L
;
Zheng L
;
Zhao WS
;
Wang L
;
Zeng YP
;
Li XG
;
Wang ZG
;
Sun, GS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. gshsun@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(262Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1390/320
  |  
提交时间:2011/07/05
电学测试的汞探针装置
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-02-10, 2010-08-12
发明人:
纪 刚
;
孙国胜
;
宁 瑾
;
刘兴昉
;
赵永梅
;
王 雷
;
赵万顺
;
曾一平
;
李晋闽
Adobe PDF(270Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1865/331
  |  
提交时间:2010/08/12
氧化硅上制备低阻碳化硅的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-05-27, 公开日期: 3996
发明人:
赵永梅
;
孙国胜
;
宁 瑾
;
王 亮
;
刘兴昉
;
赵万顺
;
王 雷
;
李晋闽
;
曾一平
Adobe PDF(564Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1533/262
  |  
提交时间:2010/03/19
基于氮化铝缓冲层的硅基3C-碳化硅异质外延生长方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-10-08, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
赵永梅
;
孙国胜
;
刘兴昉
;
李家业
;
王雷
;
赵万顺
;
李晋闽
;
曾一平
Adobe PDF(365Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1475/230
  |  
提交时间:2009/06/11
用于MEMS器件的大面积3C-SiC薄膜的制备方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
刘兴昉
;
孙国胜
;
李晋闽
;
赵永梅
;
王雷
;
赵万顺
;
李家业
;
曾一平
Adobe PDF(494Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1283/218
  |  
提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Liu XF
;
Sun GS
;
Li JM
;
Ning J
;
Luo MC
;
Wang L
;
Zhao WS
;
Zeng YP
;
Liu, XF, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: liuxf@mail.semi.ac.cn
Adobe PDF(168Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1302/317
  |  
提交时间:2010/03/29
一种碳化硅同质PIN微结构材料及其制作方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910237845.1, 公开日期: 2011-08-31
发明人:
孙国胜
;
刘兴昉
;
王雷
;
赵万顺
;
杨挺
;
吴海雷
;
闫果果
;
曾一平
;
李晋闽
Adobe PDF(406Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1727/292
  |  
提交时间:2011/08/31