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在硅衬底上生长的氮化镓薄膜结构及其生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-08-26, 公开日期: 4005
发明人:  王晓亮;  罗卫军;  郭伦春;  肖红领;  李建平;  李晋闽 
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单结铟镓氮太阳能电池结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓亮;  肖红领;  杨翠柏;  胡国新;  冉学军;  王翠梅;  张小宾;  李建平;  李晋闽
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生长氮化铟单晶薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓亮;  肖红领;  胡国新;  杨翠柏;  冉学军;  王翠梅;  张小宾;  李建平;  李晋闽
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自动搅拌滴料桶 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2008-04-02, 公开日期: 2009-06-04
发明人:  王大拯;  王俊;  吕卉;  李伟;  刘秀英;  张海艳;  赖剑雷;  刘素平;  马骁宇
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用于制备有机/无机薄膜的有机分子束沉积设备 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-11-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  曹国华;  秦大山;  李建平;  曹峻松;  曾一平
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碳化硅衬底氮化镓高电子迁移率晶体管及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-07-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓亮;  胡国新;  马志勇;  冉学军;  王翠敏;  肖红领;  王军喜;  李建平;  曾一平;  李晋闽
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一种有机材料升华提纯装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-07-18, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  曹国华;  秦大山;  李建平;  曹峻松;  曾一平
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一种减小Mg记忆效应的GaN基pn结的生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-01-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  冉军学;  王晓亮;  李建平;  胡国新;  王军喜;  王翠梅;  曾一平
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ma ZY (Ma Zhi-Yong);  Wang XL (Wang Xiao-Liang);  Hu GX (Hu Guo-Xin);  Ran JX (Ran Jun-Xue);  Xiao HL (Xiao Hong-Ling);  Luo WJ (Luo Wei-Jun);  Tang J (Tang Jian);  Li JP (Li Jian-Ping);  Li JM (Li Jin-Min);  Ma, ZY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: mazhiyong@mail.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  杨春雷;  王建农;  葛惟锟;  崔利杰;  曾一平
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