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Structural and optical changes in GaAs/InAs/GaAs structure induced by thermal annealing 会议论文
1998 5TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED CIRCUIT TECHNOLOGY PROCEEDINGS, BEIJING, PEOPLES R CHINA, OCT 21-23, 1998
作者:  Mo QW;  Fan TW;  Gong Q;  Wu J;  Wang ZG;  Bai YQ;  Zhang W;  Mo QW Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Molecular-beam Epitaxy  Coherent Islands  Gaas  Growth  Dots  Dislocations  Temperature  Mechanisms  Si(001)  Ingaas  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wu J;  Li HX;  Fan TW;  Wang ZG;  Wu J,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zou LF;  Wang ZG;  Sun DZ;  Fan TW;  Liu XF;  Zhang JW;  Zou LF,Unidad Aguascalientes,AC,Ctr Invest Opt,Juan Montore 207,Zona Ctr,CP 20000,Aguascalientes,Mexico. 电子邮箱地址: lfzou@ciateq.mx
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang HM;  Fan TW;  Wu J;  Zeng YP;  Dong JR;  Kong MY;  Wang HM,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Ctr Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Gong Q;  Wu J;  Xu B;  Liang JB;  Fan TW;  Wang ZG;  Bai YQ;  Gong Q,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Mo QW;  Fan TW;  Gong Q;  Wu J;  Wang ZG;  Bai YQ;  Mo QW,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,Beijing 100083,Peoples R China.
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