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Ⅲ族氮化物单/多层异质应变薄膜的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-08-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
Inventors:  陈振;  陆大成;  刘祥林;  王晓晖;  袁海荣;  王占国
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铟镓氮薄膜的光电特性 期刊论文
半导体学报, 2002, 卷号: 23, 期号: 2, 页码: 143-148
Authors:  韩培德;  刘祥林;  袁海荣;  陈振;  李昱峰;  陆沅;  汪度;  陆大成;  王占国
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GAN_(1-x)P_x三元合金的MOCVD生长 期刊论文
半导体学报, 2002, 卷号: 23, 期号: 7, 页码: 782-784
Authors:  陈敦军;  毕朝霞;  沈波;  张开骁;  顾书林;  张荣;  施毅;  胡立群;  郑有(火+斗);  孙学浩;  万寿科;  王占国
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