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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Liang JR (Liang Ji-ran); Hu M (Hu Ming); Wang XD (Wang Xiao-dong); Li GK (Li Gui-ke); Kan Q (Kan Qiang); Ji A (Ji An); Yang FH (Yang Fu-hua); Liu J (Liu Jian); Wu NJ (Wu Nan-jian); Chen HD (Chen Hong-da); Liang, JR, Tianjin Univ, Coll Elect Sci & Technol, Sch Elect & Informat Engn, Tianjin 300072, Peoples R China. 电子邮箱地址: liang_jiran@tju.edu.cn Adobe PDF(362Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1271/322  |  提交时间:2010/04/26 |
| 相变存储器的制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010263081.6, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 马慧莉; 王晓峰; 张加勇; 程凯芳; 王晓东; 季安; 杨富华 Adobe PDF(478Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1526/248  |  提交时间:2011/08/31 |
| 一种平面相变存储器的制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010115649.X, 公开日期: 2011-08-31, 2011-08-31, 2011-08-31 发明人: 张加勇; 王晓峰; 马慧莉; 程凯芳; 王晓东; 杨富华 Adobe PDF(1181Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1187/79  |  提交时间:2011/08/31 |
| 一种高密度相变存储器的制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010139053.3, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 程凯芳; 王晓峰; 王晓东; 张加勇; 马慧莉; 杨富华 Adobe PDF(448Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1182/220  |  提交时间:2011/08/31 |
| 高迁移率量子点场效应晶体管及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910091632.2, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 李越强; 刘雯; 王晓东; 陈燕玲; 杨富华 Adobe PDF(456Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1279/236  |  提交时间:2011/08/31 |
| 对砷化镓太阳电池帽层进行选择性腐蚀的化学腐蚀液 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910237097.7, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 刘雯; 李越强; 王晓东; 陈燕凌; 杨富华 Adobe PDF(588Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1615/277  |  提交时间:2011/08/31 |
| 利用飞秒激光制备金属-半导体接触电极的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010283562.3, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 徐晓娜; 李越强; 王晓东; 杨富华 Adobe PDF(264Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1355/262  |  提交时间:2011/08/31 |
| 一种纳米尺寸相变存储器的制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200810240934.7, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 张加勇; 王晓峰; 田晓丽; 杨富华; 王晓东 Adobe PDF(1202Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1259/162  |  提交时间:2011/08/31 |
| 一种制作纳米尺寸相变存储器的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200810240935.1, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 张加勇; 王晓峰; 田晓丽; 杨富华; 王晓东 Adobe PDF(719Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1498/202  |  提交时间:2011/08/31 |
| 一种制作纳米尺寸相变存储器的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200810240931.3, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 田晓丽; 王晓峰; 张加勇; 杨富华; 王晓东 Adobe PDF(695Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1192/178  |  提交时间:2011/08/31 |