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| 一种平面相变存储器的制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010531375.2, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 张加勇; 王晓峰; 马慧莉; 程凯芳; 王晓东; 杨富华 Adobe PDF(467Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1371/255  |  提交时间:2011/08/31 |
| 平面相变存储器的制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010283557.2, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 张加勇; 王晓峰; 马慧莉; 程凯芳; 王晓东; 杨富华 Adobe PDF(578Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1483/229  |  提交时间:2011/08/31 |
| 平面相变存储器的制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010520209.2, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 张加勇; 王晓峰; 马慧莉; 程凯芳; 王晓东; 杨富华 Adobe PDF(939Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1273/194  |  提交时间:2011/08/31 |
| 相变存储器的制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010263081.6, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 马慧莉; 王晓峰; 张加勇; 程凯芳; 王晓东; 季安; 杨富华 Adobe PDF(478Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1528/248  |  提交时间:2011/08/31 |
| 一种微光学陀螺Sagnac效应光波导芯片及其制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-09-10 发明人: 杨添舒; 刘雯; 时彦朋; 马静; 张端; 郑婉华; 王晓东; 杨富华 Adobe PDF(1332Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:836/66  |  提交时间:2014/12/25 |
| ICP干法刻蚀工艺制备剖面为正梯形的台面的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-08-21 发明人: 徐晓娜; 胡传贤; 樊中朝; 王晓东; 杨富华 Adobe PDF(1075Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:941/82  |  提交时间:2014/11/17 |
| 半导体薄膜太阳能电池前后表面的陷光结构制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-05-21 发明人: 时彦朋; 王晓东; 刘雯; 杨添舒; 马静; 杨富华 Adobe PDF(487Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:913/116  |  提交时间:2014/11/24 |
| 具有减反射膜的太阳能电池元件及其制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-04-30 发明人: 杨添舒; 刘雯; 时彦朋; 马静; 王晓东; 杨富华 Adobe PDF(721Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:890/102  |  提交时间:2014/12/25 |
| 基于核壳结构的热电器件制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-03-19 发明人: 王珍; 祁洋洋; 张明亮; 王晓东; 季安; 杨富华 Adobe PDF(942Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:830/87  |  提交时间:2014/11/05 |
| 半导体薄膜太阳能电池前后表面的混合陷光结构制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-05-21 发明人: 时彦朋; 王晓东; 刘雯; 杨添舒; 杨富华 Adobe PDF(593Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:901/105  |  提交时间:2014/11/24 |