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紫外光直写制作掺铒杂化SiO2光波导放大器的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-12-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王鵫;  吴远大;  李建光;  王红杰;  安俊明;  胡雄伟
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带输出波导的正方形微腔激光器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-12-17, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  赵伟;  黄永箴
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模式相干的双模半导体激光器结构 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-12-03, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王列松;  赵玲娟;  王圩;  朱洪亮;  潘教青;  梁松
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一种生长氧化锌薄膜的装置及方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨少延;  刘祥林;  赵凤瑷;  焦春美;  董向芸;  张晓沛;  范海波;  魏宏源;  张攀峰;  王占国
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一种用于产生毫米波的集成芯片 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-04-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  赵玲娟;  谢红云;  王路;  朱洪亮;  王圩
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吸收型增益耦合分布反馈布拉格光栅的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-09, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  冯文;  王宝军;  潘教青;  赵玲娟;  朱洪亮;  王圩
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Native deep level defects in ZnO single crystal grown by CVT method - art. no. 68410I 会议论文
SOLID STATE LIGHTING AND SOLAR ENERGY TECHNOLOGIES, Beijing, PEOPLES R CHINA, NOV 12-14, 2007
作者:  Zhao, YW;  Zhang, F;  Zhang, R;  Dong, ZY;  Wei, XC;  Zeng, YP;  Li, JM;  Zhao, YW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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Zinc Oxide  Defect  Vacancy  
Characterization of bulk ZnO single crystal grown by a CVT method - art. no. 68410F 会议论文
SOLID STATE LIGHTING AND SOLAR ENERGY TECHNOLOGIES, Beijing, PEOPLES R CHINA, NOV 12-14, 2007
作者:  Wei, XC;  Zhao, YW;  Dong, ZY;  Li, JM;  Wei, XC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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Zinc Oxide  X-ray Diffraction  Defects  Single Crystal  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wei, XC;  Zhao, YW;  Dong, ZY;  Li, JM;  Wei, XC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xcwei@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Gai, YQ;  Yao, B;  Wei, ZP;  Li, YF;  Lu, YM;  Shen, DZ;  Zhang, JY;  Zhao, DX;  Fan, XW;  Li, JB;  Xia, JB;  Yao, B, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattice & Microstruct, POB 912, Beijing 10083, Peoples R China. 电子邮箱地址: yaobin196226@yahoo.com.cn;  jbli@semi.ac.cn
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