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一种垂直结构氮化物LED的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-09-30, 公开日期: 4008
发明人:  段瑞飞;  王军喜;  曾一平;  王国宏;  李晋闽 
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一种氮化物材料的外延方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-07-01, 公开日期: 3999
发明人:  段瑞飞;  王军喜;  曾一平;  王国宏;  李晋闽 
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用于氮化物外延生长的纳米级图形衬底的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  闫发旺;  高海永;  樊中朝;  李晋闽;  曾一平;  王国宏;  张会肖;  王军喜;  张扬
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一种氮化物材料外延装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-01-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  段瑞飞;  王军喜;  曾一平;  李晋闽
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao DG;  Jiang DS;  Zhu JJ;  Guo X;  Liu ZS;  Zhang SM;  Wang YT;  Yang H;  Zhao, DG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: dgzhao@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang Tao;  Liu Yi-Bao;  Yang Bo;  Wu He-Xi;  Gu Jin-Hu;  Yu Jin-Zhong;  Wang Qi-Ming
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