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| 氢气调制本征层能带结构优化非晶硅太阳电池及制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102176496A, 公开日期: 2012-09-07, 2011-09-07, 2012-09-07
发明人: 彭文博; 曾湘波; 刘石勇; 姚文杰; 谢小兵; 肖海波; 杨萍; 王超; 俞育德
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| 纳米孔与金属颗粒复合陷光结构太阳能电池及制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-07-24
发明人: 陈燕坤; 韩伟华; 洪文婷; 杨富华
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| 硅基横向纳米线多面栅晶体管及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-09-18
发明人: 韩伟华; 王昊; 马刘红; 洪文婷; 杨晓光; 杨涛; 杨富华
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| 硅基III-V族纳米线选区横向外延生长的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-10-09
发明人: 韩伟华; 杨晓光; 杨涛; 王昊; 洪文婷; 杨富华
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| 一种微光学陀螺Sagnac效应光波导芯片及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-09-10
发明人: 杨添舒; 刘雯; 时彦朋; 马静; 张端; 郑婉华; 王晓东; 杨富华
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| 半导体薄膜太阳能电池前后表面的陷光结构制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-05-21
发明人: 时彦朋; 王晓东; 刘雯; 杨添舒; 马静; 杨富华
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| 具有减反射膜的太阳能电池元件及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-04-30
发明人: 杨添舒; 刘雯; 时彦朋; 马静; 王晓东; 杨富华
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| 半导体薄膜太阳能电池前后表面的混合陷光结构制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-05-21
发明人: 时彦朋; 王晓东; 刘雯; 杨添舒; 杨富华
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| 高迁移率量子点场效应晶体管及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910091632.2, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 李越强; 刘雯 ; 王晓东; 陈燕玲; 杨富华
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| 对砷化镓太阳电池帽层进行选择性腐蚀的化学腐蚀液 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910237097.7, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 刘雯; 李越强; 王晓东; 陈燕凌; 杨富华
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