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| 具有p-GaN层表面粗化的GaN基LED芯片的制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102157640A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 李璟; 王国宏; 魏同波; 张杨; 孔庆峰 Adobe PDF(301Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1902/350  |  提交时间:2012/09/09 |
| 制备微纳米柱发光二极管的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-04-03, 2013-04-03 发明人: 安铁雷; 孙波; 孔庆峰; 魏同波; 段瑞飞 Adobe PDF(633Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:616/81  |  提交时间:2014/10/24 |
| 制作微纳米柱发光二极管的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-04-03, 2013-04-03 发明人: 安铁雷; 孙波; 孔庆峰; 魏同波; 段瑞飞 Adobe PDF(1096Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:832/65  |  提交时间:2014/10/24 |
| 一种利用电致发光谱测量氮化物LED内量子效率的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-01-22 发明人: 魏学成; 赵丽霞; 王莉; 孔庆峰; 卢鹏志; 王军喜; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(538Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:643/80  |  提交时间:2014/11/05 |
| 利用AlInGaN制作氮化镓外延薄膜的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014 发明人: 冯向旭; 张宁; 刘乃鑫; 付丙磊; 朱绍歆; 张连; 魏同波; 王军喜; 李晋闽 Adobe PDF(231Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1202/133  |  提交时间:2014/11/17 |
| 在含镓氮化物上生长石墨烯薄膜的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014 发明人: 赵云; 王刚; 孙连峰; 魏同波; 段瑞飞; 伊晓燕; 李晋闽 Adobe PDF(404Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:773/99  |  提交时间:2014/11/17 |
| 利用自组装小球制作用于光刻版的金属网格模板的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-08 发明人: 杜成孝; 董鹏; 郑海洋; 魏同波; 严清峰; 吴奎; 张逸韵; 王军喜; 李晋闽 Adobe PDF(946Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:718/84  |  提交时间:2014/11/24 |
| 抑制电极光吸收的发光二极管的制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-07-23 发明人: 刘娜; 孙雪娇; 孔庆峰; 梁萌; 王莉; 魏同波; 刘志强; 伊晓燕; 王军喜; 李晋闽 Adobe PDF(382Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:618/70  |  提交时间:2014/11/24 |
| 提高光提取效率发光二极管的制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-07-23 发明人: 刘娜; 孙雪娇; 孔庆峰; 梁萌; 王莉; 魏同波; 刘志强; 伊晓燕; 王军喜; 李晋闽 Adobe PDF(436Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:627/86  |  提交时间:2014/11/24 |
| 一种在石墨烯薄膜上剥离外延材料的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-02 发明人: 赵云; 王钢; 魏同波; 段瑞飞; 孙连峰; 王军喜; 李晋闽 Adobe PDF(258Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:473/2  |  提交时间:2016/09/02 |