SEMI OpenIR  > 中科院半导体照明研发中心
一种在石墨烯薄膜上剥离外延材料的方法
赵云; 王钢; 魏同波; 段瑞飞; 孙连峰; 王军喜; 李晋闽
专利权人中国科学院半导体所
公开日期2016-09-02
授权国家中国
专利类型发明
学科领域光电子学
申请日期2014-07-11
申请号CN201410332170.X
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/27354
专题中科院半导体照明研发中心
推荐引用方式
GB/T 7714
赵云,王钢,魏同波,等. 一种在石墨烯薄膜上剥离外延材料的方法.
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一种在石墨烯薄膜上剥离外延材料的方法.p(258KB) 限制开放使用许可请求全文
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