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| 水汽探测用激光芯片的制造方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102364771A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 于红艳; 周旭亮; 邵永波; 王宝军; 潘教青; 王圩 Adobe PDF(372Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1353/184  |  提交时间:2012/09/09 |
| 掺杂剂锌辅助的自催化法生长InN纳米棒材料的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910237095.8, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 宋华平; 杨安丽; 郭严; 魏鸿源; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国 Adobe PDF(400Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1405/243  |  提交时间:2011/08/31 |
| 量子阱偏移光放大器和电吸收调制器的制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102162968A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 邵永波; 赵玲娟; 于红艳; 潘教青; 王宝军; 王圩 Adobe PDF(478Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1242/219  |  提交时间:2012/09/09 |
| 在非极性蓝宝石衬底上生长水平排列氧化锌纳米线的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102191540A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 桑玲; 王俊; 魏鸿源; 焦春美; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国 Adobe PDF(288Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1519/250  |  提交时间:2012/09/09 |
| 一氧化氮气体检测用激光芯片的制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102364772A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 于红艳; 周旭亮; 邵永波; 王宝军; 潘教青; 王圩 Adobe PDF(431Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1144/207  |  提交时间:2012/09/09 |
| 倒V型二氧化硅沟槽结构生长硅基砷化镓材料的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102243994A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 周旭亮; 于红艳; 王宝军; 潘教青; 王圩 Adobe PDF(308Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1180/183  |  提交时间:2012/09/09 |
| 应用于nMOS的硅基砷化镓材料结构的制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102263015A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 周旭亮; 于红艳; 王宝军; 潘教青; 王圩 Adobe PDF(281Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1074/163  |  提交时间:2012/09/09 |
| 运用V形沟槽的硅基砷化镓材料的制备 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102244007A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 周旭亮; 于红艳; 王宝军; 潘教青; 王圩 Adobe PDF(311Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1106/183  |  提交时间:2012/09/09 |
| 缓解MOCVD工艺中硅衬底与氮化镓薄膜间应力的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-06-11 发明人: 冯玉霞; 杨少延; 魏鸿源; 焦春美; 孔苏苏 Adobe PDF(1519Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:630/69  |  提交时间:2014/11/24 |
| 制备非极性面或半极性面单晶半导体自支撑衬底的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-07-30 发明人: 张恒; 魏鸿源; 杨少延; 赵桂娟; 金东东; 王建霞; 李辉杰; 刘祥林; 王占国 Adobe PDF(582Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:889/103  |  提交时间:2014/12/25 |