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Cu掺杂p型ZnO薄膜的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010106765.5, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  杨晓丽;  陈诺夫;  尹志岗
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具有宽光谱响应的硅探测器结构及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102290481A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  刘德伟;  黄永光;  朱小宁;  王熙元;  马丽;  朱洪亮
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具有红外响应的表面纳米点硅光电探测器结构的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102227005A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  刘德伟;  黄永光;  朱小宁;  王熙元;  马丽;  朱洪亮
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广谱吸收的非晶硅黑硅异质结太阳能电池结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102280513A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  黄永光;  朱小宁;  刘德伟;  王熙元;  马丽;  朱洪亮
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具有硅纳米线结构的硅薄膜太阳能电池的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-03-20, 2013-03-20
发明人:  谢小兵;  曾湘波;  杨萍;  李洁;  李敬彦;  张晓东;  王启明
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基于GaN基异质结构的二极管结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-07-02
发明人:  康贺;  王晓亮;  肖红领;  王翠梅;  冯春;  姜丽娟;  殷海波;  崔磊
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一种硅纳米线阵列结构硅薄膜太阳电池及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014
发明人:  杨萍;  曾湘波;  谢小兵;  张晓东;  李浩;  王占国
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具有复合空间层的氮化镓场效应晶体管结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-22
发明人:  王翠梅;  王晓亮;  彭恩超;  肖红领;  冯春;  姜丽娟;  陈竑
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双异质结构氮化镓基高电子迁移率晶体管结构及制作 方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-26
发明人:  王晓亮;  王翠梅;  肖红领;  彭恩超;  冯春;  姜丽娟;  陈竑
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铝镓氮做高阻层的双异质结氮化镓基HEMT及制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-02-13
发明人:  王晓亮;  彭恩超;  王翠梅;  肖红领;  冯春;  姜丽娟;  陈竑
Adobe PDF(535Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:723/94  |  提交时间:2014/10/24