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| 金刚石光电器件数值模拟与工艺研究 学位论文
工学硕士, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2023
作者: 许敦洲
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| 低位错III-V族单晶衬底InP、GaSb和InAs的残留应力及其退火消除研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021
作者: 周媛
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 屈盛; 张兴旺; 毛和璜; 余银祥; 韩增华; 汤叶华; 周春兰; 王文静
Adobe PDF(290Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1067/331 | 提交时间：2012/07/17 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 陈燕; 邓爱红; 赵有文; 张英杰; 余鑫祥; 喻菁; 龙娟娟; 周宇璐; 张丽然
Adobe PDF(441Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1107/297 | 提交时间：2011/08/16 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 苏江滨; 朱贤方; 李论雄; 王连洲; 王占国
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| 水汽探测用激光芯片的制造方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102364771A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 于红艳; 周旭亮; 邵永波; 王宝军; 潘教青; 王圩
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| 聚酰亚胺填埋双沟脊型器件沟道的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010196156.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 王宝军; 朱洪亮; 赵玲娟; 王圩; 潘教青; 梁松; 边静; 安心; 王伟; 周代兵
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| 基于n-InP的单片集成的光逻辑门及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910093299.9, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 张云霄; 廖栽宜; 周帆; 赵玲娟; 王圩
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| 一氧化氮气体检测用激光芯片的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102364772A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 于红艳; 周旭亮; 邵永波; 王宝军; 潘教青; 王圩
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| 倒V型二氧化硅沟槽结构生长硅基砷化镓材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102243994A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 周旭亮; 于红艳; 王宝军; 潘教青; 王圩
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