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| III-V族半导体材料中的圆偏振光学性质研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2022
作者: 吴静
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| InAs单晶位错和杂质条纹的识别及相关材料性质研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2020
作者: 孙静
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| 半绝缘 InP 单晶衬底表面缺陷与杂质 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2013
作者: 刘京明
Adobe PDF(4531Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1194/50 | 提交时间：2013/06/24 |
| 图形衬底上 InGaN 太阳能电池基础研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2013
作者: 井亮
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 屈盛; 张兴旺; 毛和璜; 余银祥; 韩增华; 汤叶华; 周春兰; 王文静
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 朱洪亮; 梁松; 李宝霞; 赵玲娟; 王宝军; 边静; 许晓冬; 朱小宁; 王圩
Adobe PDF(349Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1542/435 | 提交时间：2011/08/16 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 陈燕; 邓爱红; 赵有文; 张英杰; 余鑫祥; 喻菁; 龙娟娟; 周宇璐; 张丽然
Adobe PDF(441Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1107/297 | 提交时间：2011/08/16 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 刘扬; 潘教青; 王宝军; 边静; 安欣; 赵玲娟
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| 增强n-ZnO/AlN/p-GaN发光二极管的电致发光性能的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102394263A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 尹志岗; 张曙光; 张兴旺; 董敬敬; 高红丽; 施辉东
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| 增强ZnO基发光二极管紫光电致发光性能的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102394264A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人: 张兴旺; 张曙光; 尹志岗; 董敬敬; 高红丽; 施辉东
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