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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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陈良惠 [7]
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专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
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WOS被引频次升序
WOS被引频次降序
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用于氮化物外延生长的纳米级图形衬底的制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
闫发旺
;
高海永
;
樊中朝
;
李晋闽
;
曾一平
;
王国宏
;
张会肖
;
王军喜
;
张扬
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浏览/下载:1556/269
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提交时间:2009/06/11
一种利用图形化衬底提高GaN基LED发光效率的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-01-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
闫发旺
;
高永海
;
张扬
;
李晋闽
;
曾一平
;
王国宏
;
张会肖
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浏览/下载:1551/272
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提交时间:2009/06/11
用于氮化物外延生长的图形蓝宝石衬底的制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-12-24, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
闫发旺
;
高海永
;
张扬
;
李晋闽
;
曾一平
;
王国宏
;
张会肖
Adobe PDF(447Kb)
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浏览/下载:1508/270
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提交时间:2009/06/11
高晶体质量氮化物外延生长所用图形衬底的制备方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-10-29, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
张扬
;
闫发旺
;
高海永
;
曾一平
;
王国宏
;
张会肖
;
李晋闽
Adobe PDF(561Kb)
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浏览/下载:2846/218
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提交时间:2009/06/11
一种垂直腔面发射纳米尺度半导体激光光源及制法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-18, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
宋国峰
;
高建霞
;
郭宝山
;
陈良惠
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浏览/下载:1011/187
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提交时间:2009/06/11
微小孔垂直腔面发射激光器的制备方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-19, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
高建霞
;
宋国峰
;
甘巧强
;
陈良惠
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提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Shang, LY
;
Lin, T
;
Zhou, WZ
;
Li, DL
;
Gao, HL
;
Zeng, YP
;
Guo, SL
;
Yu, GL
;
Chu, JH
;
Chu, JH, Chinese Acad Sci, Natl Lab Infrared Phys, Shanghai Inst Tech Phys, Shanghai 200083, Peoples R China. 电子邮箱地址: jhchu@mail.sitp.ac.cn
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浏览/下载:1017/268
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Shang, LY
;
Lin, T
;
Zhou, WZ
;
Guo, SL
;
Li, DL
;
Gao, HL
;
Cui, LJ
;
Zeng, YP
;
Chu, JH
;
Shang, LY, Chinese Acad Sci, Shanghai Inst Tech Phys, Natl Lab Infrared Phys, Shanghai 200083, Peoples R China. 电子邮箱地址: liyshang@mail.sitp.ac.en
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浏览/下载:1062/295
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
商丽燕
;
林铁
;
周文政
;
李东临
;
高宏玲
;
曾一平
;
郭少令
;
俞国林
;
褚君浩
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提交时间:2010/11/23
无权访问的条目
期刊论文
作者:
商丽燕
;
林铁
;
周文政
;
郭少令
;
李东临
;
高宏玲
;
崔利杰
;
曾一平
;
褚君浩
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浏览/下载:1055/322
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提交时间:2010/11/23