SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共4条,第1-4条 帮助

限定条件                
已选(0)清除 条数/页:   排序方式:
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Feng Zhang;  Guosheng Sun;  Huolin Huang;  Zhengyun Wu;  Lei Wang;  Wanshun Zhao;  Xingfang Liu;  Guoguo Yan;  Liu Zheng;  Lin Dong;  Yiping Zeng
Adobe PDF(234Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:2088/621  |  提交时间:2012/09/04
Donor defect in P-diffused bulk ZnO single crystal 会议论文
, Rio de Janeiro, BRAZIL, 2009
作者:  Zhao YW (Zhao Youwen);  Zhang R (Zhang Rui);  Zhang F (Zhang Fan);  Dong ZY (Dong Zhiyuan);  Yang J (Yang Jun);  Zhao, YW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China
Adobe PDF(321Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:2282/471  |  提交时间:2010/10/11
Zinc Oxide  Doping  Defect  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  李彦波;  刘超;  张杨;  赵杰;  曾一平
Adobe PDF(942Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:2005/346  |  提交时间:2011/08/16
集成傅里叶变换红外原位监测系统的原子层沉积装置 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102492939A, 公开日期: 2012-08-29, 2012-08-29, 2012-08-29
发明人:  张峰;  孙国胜;  王雷;  赵万顺;  刘兴昉;  闫果果;  曾一平
Adobe PDF(523Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1213/230  |  提交时间:2012/08/29