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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 闫果果 ; 孙国胜; 吴海雷; 王雷; 赵万顺; 刘兴昉; 董林; 郑柳; 曾一平
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| 集成傅里叶变换红外原位监测系统的原子层沉积装置 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102492939A, 公开日期: 2012-08-29, 2012-08-29, 2012-08-29
发明人: 张峰; 孙国胜; 王雷; 赵万顺; 刘兴昉; 闫果果; 曾一平
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| 利用氧化锌提高LED光提取效率的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910084159.5, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 刘祯; 段垚; 王晓峰; 曾一平
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| 一种碳化硅同质PIN微结构材料及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910237845.1, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 孙国胜; 刘兴昉; 王雷; 赵万顺; 杨挺; 吴海雷; 闫果果; 曾一平; 李晋闽
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| 采用MVPE两步法制备氧化锌透明电极的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010143078.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 王晓峰; 杨华; 刘祯; 曾一平; 王国宏
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| 在大失配衬底上生长表面无裂纹的GaN薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010128376.2, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 魏萌; 王晓亮; 潘旭; 李建平; 刘宏新; 王翠梅; 肖红领
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| 采用金属源化学气相沉积技术制备掺杂氧化锌的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010141024.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人: 王晓峰; 段垚; 刘祯; 曾一平
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| 连续型HTCVD法碳化硅晶体生长装置 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102304763A, 公开日期: 2012-08-29, 2012-08-29, 2012-08-29
发明人: 刘兴昉; 郑柳; 董林; 闫果果; 王雷; 赵万顺; 孙国胜; 曾一平; 李晋闽
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| HTCVD法碳化硅晶体生长装置 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102304698A, 公开日期: 2012-08-29, 2012-08-29, 2012-08-29
发明人: 刘兴昉; 董林; 郑柳; 闫果果; 王雷; 赵万顺; 孙国胜; 曾一平; 李晋闽
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| 碳化硅PIN微结构的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102254798A, 公开日期: 2012-08-29, 2012-08-29, 2012-08-29
发明人: 孙国胜; 吴海雷; 郑柳; 刘兴昉; 王雷; 赵万顺; 闫果果
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