中文版 | English

在结果中检索

SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助

限定条件    
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
一种在砷化镓衬底上外延生长锑化镓的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  郝瑞亭;  周志强;  任正伟;  徐应强;  牛智川
Adobe PDF(621Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1258/190  |  提交时间：2009/06/11
一种在砷化镓衬底上外延生长锑化镓的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  郝瑞亭;  周志强;  任正伟;  徐应强;  牛智川
Adobe PDF(752Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1272/150  |  提交时间：2009/06/11
一种在砷化镓衬底上外延生长锑化镓的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  郝瑞亭;  周志强;  任正伟;  徐应强;  牛智川
Adobe PDF(753Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1157/168  |  提交时间：2009/06/11
二维纳米结构深刻蚀方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-09, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  马小涛;  郑婉华;  杨国华;  任刚;  陈良惠
Adobe PDF(404Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1143/199  |  提交时间：2009/06/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zheng WH;  Ren G;  Xing MX;  Chen W;  Liu AJ;  Zhou WJ;  Baba T;  Nozaki K;  Chen LH;  Zheng, WH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Nanooptoelect Lab, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: whzheng@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(703Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1034/250  |  提交时间：2010/03/08
A 5.6-mW Power Dissipation CMOS Frequency Synthesizer for L1/L2 Dual-Band GPS Application 会议论文
2008 9TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED-CIRCUIT TECHNOLOGY, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 20-23, 2008
作者:  Jia HL;  Ren T;  Lin M;  Chen FX;  Shi Y;  Dai FF;  Jia, HL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(1977Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1334/310  |  提交时间：2010/03/09
Pll