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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang, YH;  Wei, TB;  Wang, JX;  Lan, D;  Chen, Y;  Hu, Q;  Lu, HX;  Li, JM
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wu K;  Zhang YY;  Wei TB;  Lan D;  Sun B;  Zheng HY;  Lu HX;  Chen Y;  Wang JX;  Luo Y;  Li JM
Adobe PDF(1608Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：811/140  |  提交时间：2014/04/09
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang, L;  Wei, XC;  Liu, NX;  Lu, HX;  Zeng, JP;  Wang, JX;  Zeng, YP;  Li, JM;  Zhang, L (reprint author), Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Res & Dev Ctr Semicond Lighting, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China,zhanglian07@semi.ac.cn
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平行四边形GaN基发光二极管芯片的对称电极 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010113804.4, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  孙莉莉;  闫发旺;  张会肖;  王军喜;  王国宏;  曾一平;  李晋闽
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全侧壁锯齿状粗化发光二极管芯片的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010113819.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  闫发旺;  孙莉莉;  张会肖;  伊晓燕;  王军喜;  王国宏;  曾一平;  李晋闽
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采用离子注入制备非极性GaN基稀磁半导体材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010201489.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  孙莉莉;  闫发旺;  张会肖;  王军喜;  王国宏;  曾一平;  李晋闽
Adobe PDF(301Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1838/288  |  提交时间：2011/08/31
采用MOCVD制备非极性GaN基稀磁半导体材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010201505.6, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  孙莉莉;  闫发旺;  张会肖;  王军喜;  王国宏;  曾一平;  李晋闽
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三角形GaN基发光二极管芯片的对称电极 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010113816.7, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  孙莉莉;  闫发旺;  张会肖;  王军喜;  王国宏;  曾一平;  李晋闽
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一种可调控能带的LED量子阱结构 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-09-11
发明人:  张连;  曾建平;  路红喜;  王军喜;  李晋闽
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一种利用低熔点金属消除外延层生长热失配的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人:  安平博;  张硕;  赵丽霞;  段瑞飞;  路红喜;  王军喜;  李晋闽
Adobe PDF(489Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：503/5  |  提交时间：2016/09/12